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A、權(quán)利要求2：如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于d
B、權(quán)利要求2：制造如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于e
C、權(quán)利要求2：如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述部件f由銅制成
D、權(quán)利要求2：如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包括部件g

A、專利代理人承辦專利代理業(yè)務(wù)，應(yīng)當(dāng)與委托人簽訂委托合同，寫明委托事項和委托權(quán)限
B、接受委托的專利代理機構(gòu)應(yīng)當(dāng)以委托人的名義，在代理權(quán)限范圍內(nèi)辦理專利申請或者辦理其他專利事務(wù)
C、專利代理機構(gòu)接受委托后，不得就同一內(nèi)容的專利事務(wù)接受有利害關(guān)系的其他委托人的委托
D、專利代理人在從事專利代理業(yè)務(wù)期間，不得申請專利