填空題按照半導體理論對不含雜質而且結構非常完整的半導體單晶稱為()。
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缺陷垂直時,擴散波束入射至缺陷時回波較高,而定位時就會誤認為缺陷在軸線上,從而導致定位不準。
題型:判斷題
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
題型:判斷題
衍射時差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
題型:判斷題
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
題型:判斷題
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機物絕緣體高溫同軸電纜。
題型:判斷題
儀器時基線調節(jié)比例時,若回波前沿沒有對準相應垂直刻度或讀數(shù)不準,會使缺陷定位誤差增加。
題型:判斷題
無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當大的差異。
題型:判斷題
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應測定材料的衰減系數(shù),計算時應考慮介質衰減的影響。
題型:判斷題
為了減少側壁的影響,必要時可采用試塊比較法進行定量,以便提高定量精度。
題型:判斷題
電磁超聲探頭在工件的表層內產生的渦流,在外加磁場的作用下,在工件中形成超聲波波源。
題型:判斷題