電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。