CH4在膜中滲透率大于H2。

合成廢鍋連排主要是排放廢鍋中的顆粒等比較大的雜質(zhì)。

冷換設(shè)備投用時(shí)先通高溫介質(zhì)再通低溫介質(zhì)。

在通常的甲烷化系統(tǒng)操作條件下，每1％的二氧化碳轉(zhuǎn)化的絕熱溫升是（）℃。

水蒸汽造成的催化劑失活是暫時(shí)性失活。

合成塔阻力逐漸增大的原因：觸媒結(jié)塊、（）、入塔氣帶液、帶油。

增加空速可增加合成氨產(chǎn)量，因此空速越大越好。

中低變可進(jìn)行單獨(dú)氮?dú)庋h(huán)升溫。

合成氨轉(zhuǎn)化加熱爐的形式為（）。

加氫槽的作用是將有機(jī)硫轉(zhuǎn)化為無(wú)機(jī)硫。