問答題

【簡答題】在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，高k介質(zhì)和低k介質(zhì)各自應(yīng)用在什么地方，為什么？

答案： 低k材料用于層間介質(zhì)，因為低k介質(zhì)減小電容，從而減小RC信號延遲，提高器件工作頻率。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚...
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【簡答題】什么是離子注入時的溝道效應(yīng)？列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法？
答案： 溝道效應(yīng)：單晶硅原子為長程有序排列，當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應(yīng)，使預(yù)期的設(shè)計范...
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【簡答題】解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝？
答案： 目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝的原因是：
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
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