A、盡量縮短TR。 B、增加重復(fù)采集次數(shù)。 C、縮短TE。 D、增加層厚。 E、利用相控陣線圈。
A、呼吸運(yùn)動偽影。 B、血管搏動偽影。 C、化學(xué)位移偽影。 D、卷褶偽影。 E、金屬異物偽影。
A、提高主磁場的場強(qiáng)。 B、增大矩陣。 C、增大FOV。 D、增加重復(fù)采集次數(shù)。 E、用表面線圈替代體線圈。