單項選擇題關(guān)于心電門控的論述，哪個是錯誤的（）

A.為減少電極對MR信號干擾，應(yīng)將電極平行于人體
B.選擇最佳電極位置
C.導(dǎo)線卷曲成環(huán)可使RF增強(qiáng)
D.使R波幅度增加
E.調(diào)整電極位置能使觸發(fā)成功


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1.單項選擇題有關(guān)矩陣錯誤的描述是（）

A.矩陣有兩種
B.一種為采集矩陣，一種為傅立葉變換矩陣
C.采集矩陣為64×64，512×512
D.增加矩陣可改善空間分辨率
E.減少矩陣降低信噪比

2.單項選擇題運(yùn)動偽影不包括的內(nèi)容為（）

A.在相位編碼方向產(chǎn)生
B.與運(yùn)動方向有關(guān)
C.與運(yùn)動方式無關(guān)
D.與運(yùn)動頻率有關(guān)
E.與TR和激勵次數(shù)有關(guān)

3.單項選擇題化學(xué)位移偽影的解釋，哪個是錯誤的（）

A.脂肪和水的氫質(zhì)子共振頻率相同
B.在頻率編碼時出現(xiàn)移位
C.在相位編碼時出現(xiàn)移位
D.高場強(qiáng)容易出現(xiàn)化學(xué)位移偽影
E.任何MR系統(tǒng)都會出現(xiàn)化學(xué)位移偽影

4.單項選擇題與交叉對稱信號偽影無關(guān)的因素為（）

A.屬裝備偽影
B.在SE中T2出現(xiàn)
C.由于B0不均勻
D.T對B0不均勻敏感
E.受RF頻率影響

5.單項選擇題信噪比的錯誤概念是（）

A.適當(dāng)延長TR后使信號增強(qiáng)
B.TE愈長，T2信號愈弱，SNR越低
C.TI增加，SNR也增大
D.表面線圈比體線圈SNR高
E.場強(qiáng)越高信噪比越低