A.處理器速度
B.制造工藝的先進(jìn)程度
C.電子器件
D.網(wǎng)絡(luò)帶寬
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.2
B.3
C.4
D.5
A.直達(dá)法數(shù)據(jù)會(huì)出現(xiàn)不一致
B.回寫(xiě)法對(duì)寫(xiě)操作沒(méi)有高速緩存的作用
C.回寫(xiě)法速度更快
D.直達(dá)法存在數(shù)據(jù)不一致隱患
A.當(dāng)前指令的地址
B.下一條實(shí)際執(zhí)行的指令地址
C.下一條順序執(zhí)行的指令地址
D.對(duì)于微程序控制計(jì)算機(jī)，存放的是該條指令的微程序入口地址
A.一個(gè)記憶單元只能存儲(chǔ)1位二進(jìn)制數(shù)，是信息的最小單元
B.存儲(chǔ)器的核心是存儲(chǔ)陣列，它是由一個(gè)個(gè)基本記憶單元組成的
C.一臺(tái)機(jī)器的所有存儲(chǔ)單元的長(zhǎng)度可能不同
D.一個(gè)存儲(chǔ)單元的每個(gè)二進(jìn)制必須并行工作，同時(shí)讀出或同時(shí)寫(xiě)入信息
A.采用單符號(hào)位操作檢測(cè)方法判溢時(shí)，當(dāng)操作數(shù)中的加數(shù)與被加數(shù)符號(hào)相同時(shí)，若運(yùn)算結(jié)果的符號(hào)與操作數(shù)的符號(hào)不一致，表示溢出；否則，表示沒(méi)有溢出
B.采用單符號(hào)位操作檢測(cè)方法判溢時(shí)，當(dāng)加數(shù)和被加數(shù)符號(hào)不同時(shí)，相加運(yùn)算的結(jié)果有可能會(huì)溢出
C.采用變形碼操作檢測(cè)方法判溢時(shí)，若運(yùn)算結(jié)果的兩個(gè)符號(hào)位的代碼不一致時(shí)表示溢出
D.采用變形碼操作檢測(cè)方法判溢時(shí)，最高符號(hào)位永遠(yuǎn)表示結(jié)果的正確符號(hào)
最新試題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線(xiàn)控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過(guò)（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后，還需經(jīng)過(guò)一個(gè)（）送到被控制部件。（3）相對(duì)硬連線(xiàn)控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪(fǎng)問(wèn)的寄存器。（4）CPU通過(guò)（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過(guò)（）把信息寫(xiě)入有關(guān)端口。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱(chēng)為（）
軟件堆棧在工作中（）移動(dòng)。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。