A.tgσ升高 B.絕緣電阻下降 C.局部放電量驟增
A.K=U1/U2=(C1+C2)/C1 B.K=U1/U2=(C1+C2)/C2 C.K=U1/U2=C1/(C1+C2) D.K=U1/U2=C2/(C1+C2)
A.交流耐壓法 B.沖擊耐壓法 C.操作波耐壓法 D.直流耐壓法