A.²⁰¹Tl和^99mTc-MIBI
B.^99mTc-MDP和^99mTc-HMDP
C.Na^99mTcO₄
D.^99mTc-DTPA
E.^99mTc-MAG₃

A.^99mTc-MAA灌注顯像中有缺損區(qū)，而^99mTc-DTPA氣溶膠吸入顯像中無(wú)
B.^99mTc-MAA灌注顯像中無(wú)缺損區(qū)，而^99mTc-DTPA氣溶膠吸入顯像中有
C.^99mTc-MAA灌注顯像和^99mTc-DTPA氣溶膠吸入顯像均有缺損區(qū)
D.^99mTc-MAA灌注顯像中有缺損區(qū)，而^99mTc-DTPA氣溶膠吸入顯像中缺損區(qū)范圍增大
E.^99mTc-MAA灌注顯像中有缺損區(qū)，而^99mTc-DTPA氣溶膠吸入顯像中缺損區(qū)范圍無(wú)明顯變化

A.價(jià)格越高
B.探測(cè)效率越高
C.體積越大
D.密封性越好
E.運(yùn)算速度越快

A.使用能產(chǎn)生熒光的特殊材料
B.收集電離作用產(chǎn)生的電子-離子對(duì)作為電信號(hào)
C.預(yù)先估計(jì)放射性核素的半衰期
D.選擇適當(dāng)?shù)臄鄬又亟V波器
E.將電離作用產(chǎn)生的電子-離子對(duì)逐個(gè)編號(hào)記錄

A.范圍大，但發(fā)現(xiàn)晚
B.范圍大，且發(fā)現(xiàn)早
C.范圍小，且發(fā)現(xiàn)晚
D.范圍一樣，但發(fā)現(xiàn)晚
E.范圍一樣，但發(fā)現(xiàn)早