A.數(shù)據(jù)容量
B.位密度
C.扇區(qū)數(shù)
D.圓周
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A.磁帶存儲(chǔ)器
B.磁盤(pán)存儲(chǔ)器
C.主存儲(chǔ)器
D.cache
A.順序存取
B.直接存取
C.隨機(jī)存取
D.相聯(lián)存取
A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類(lèi)型?？呻S機(jī)讀寫(xiě)，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫(xiě)，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫(xiě)好后就無(wú)法再改變的稱為（3）；通過(guò)紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫(xiě)入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過(guò)電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（5）處應(yīng)選擇（）
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
最新試題
相聯(lián)存儲(chǔ)器是按（）訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它一般應(yīng)用在（）中。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
對(duì)于十進(jìn)制數(shù)字143，它的二進(jìn)制表示是（），八進(jìn)制表示是（），十六進(jìn)制表示是（），BCD碼是（）；十六進(jìn)制數(shù)3CF對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)字是（）。
簡(jiǎn)述數(shù)字簽名的主要過(guò)程。
簡(jiǎn)述使用直接內(nèi)存存取DMA傳輸數(shù)據(jù)的過(guò)程。
如果一條流水線由3個(gè)子任務(wù)組成，它們分別需要的時(shí)間為50ms、60ms和20ms，現(xiàn)在有200個(gè)任務(wù)需要流水執(zhí)行，則需要的時(shí)間為（）
高速緩存中需要將主存地址轉(zhuǎn)換成cache地址，這種地址的轉(zhuǎn)換稱為地址映像，cache的地址映像方法有（）（）和（）
X和Y分別指兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)運(yùn)算符號(hào)，有規(guī)則如下。0X0＝0 0X1＝1 1X0＝1 1X1＝0 0Y0＝0 0Y1＝0 1Y0＝0 1Y1＝1則X是（），Y是（）。
計(jì)算機(jī)硬件的典型結(jié)構(gòu)主要包括單總線結(jié)構(gòu)、雙總線結(jié)構(gòu)和采用（）的大型系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
空白（3）處應(yīng)選擇（）