A.0.4~2Gy/h
B.1~3Gy/h
C.2~8Gy/h
D.8~12Gy/h
E.≥12Gy/h
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A.10%
B.15%
C.20%
D.25%
E.30%
A.2cm2cm
B.1cm2cm
C.2cm1cm
D.1cm1cm
E.2cm1.5cm
60鈷機(jī)的工作環(huán)境要求以下哪項(xiàng)()
A.環(huán)境溫度15~35℃,相對(duì)濕度30%~75%
B.環(huán)境溫度10~20℃,相對(duì)濕度30%~60%
C.環(huán)境溫度10~15℃,相對(duì)濕度30%~80%
D.環(huán)境溫度10~25℃,相對(duì)濕度30%~70%
E.環(huán)境溫度15~25℃,相對(duì)濕度20%~60%
同位素60Co的半衰期是()
A.5.5年
B.5.7年
C.5.3年
D.6年
E.2年
A.φ0.2mm
B.φ1mm
C.φ2mm
D.φ3mm
E.φ2.5mm
最新試題
不屬于模擬定位機(jī)結(jié)構(gòu)的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
巴黎系統(tǒng)中基準(zhǔn)劑量率(BD)和參考劑量率(RD)的相互關(guān)系正確的是()
60鈷射線全擋所需要的低熔點(diǎn)鉛的厚度約為()
低熔點(diǎn)鉛全擋時(shí),其厚度要使射線的穿射量不超過()
根據(jù)劑量率的大小,近距離治療可分為()
全擋塊一般需要半價(jià)層個(gè)數(shù)是()
以下關(guān)于DVH圖的描述,不正確的是()
巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長度AL與靶區(qū)長度L的關(guān)系描述正確的是()
4MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()