A.空氣劑量計、半導體劑量計、膠片劑量計、熒光板
B.熱釋光劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計、光電倍增管
C.電離室型劑量儀、半導體劑量計、熱釋光劑量儀、膠片劑量計
D.非晶硅探測器、電離室型劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計
E.熒光板、半導體劑量計、膠片劑量計、熱釋光劑量儀
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A.加上俄歇電子的能量時
B.加上韌致輻射損失的能量時
C.忽略韌致輻射損失的能量時
D.忽略俄歇電子的能量時
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達到最小
B.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達到最大
C.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加先增加然后減少,直到吸收劑量達到最小
D.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達到最小
E.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達到最大
A.介質中某小區(qū)域的電子數(shù)目達到某種重量平衡
B.介質中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時間內固定不變
C.介質中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質中某小區(qū)域次級電子帶走的入射光子貢獻的能量與入射該區(qū)的次級電子帶來的能量相等
E.介質中電子數(shù)量達到某一數(shù)值,與另外一處數(shù)目相同