單項(xiàng)選擇題用穿透能力來表示中低能X射線時(shí)，通常采用的是（）

A.管電壓
B.半價(jià)層（HVL）
C.半價(jià)層（HVL）和管電壓
D.空氣中的照射劑量
E.5cm水深處的吸收劑量


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1.單項(xiàng)選擇題質(zhì)量吸收系數(shù)表示γ光子與單位質(zhì)量厚度的物質(zhì)發(fā)生相互作用的概率，下列敘述正確的是（）

A.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成正比
B.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成反比
C.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成正比
D.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成反比
E.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度及物理狀態(tài)無關(guān)

2.單項(xiàng)選擇題單能窄束γ射線垂直通過吸收物質(zhì)時(shí)，其強(qiáng)度按照哪種規(guī)律衰減（）

A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)

3.單項(xiàng)選擇題如果γ射線入射到水中，則（）

A.10～30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30KeV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10～30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30KeV～25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10～30KeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30KeV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10～30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30KeV～25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10～30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30KeV～25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于不同能量光子入射后各種吸收的描述，正確的是（）

A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主

5.單項(xiàng)選擇題電子對(duì)效應(yīng)（）

A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
C.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
D.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
E.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過程