單項(xiàng)選擇題TIL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
A.20uA
B.40uA
C.1.6mA
D.16mA
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1.單項(xiàng)選擇題TTL與非門閥值電壓UT的典型值是（）。
A.0.4V
B.1.4V
C.2V
D.2.4V
2.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門開門電平Uon之值為（）。
A.0.3V
B.0.7V
C.1.4v
D.2V
3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門關(guān)門電平Uoff之值為（）。
A.0.3V
B.0.5V
C.0.8v
D.1.2V
4.單項(xiàng)選擇題三極管開關(guān)電路中，影響開關(guān)速度的主要囚素是（）。
A.tD
B.tR
C.tS
D.tF
5.單項(xiàng)選擇題數(shù)字電路中，當(dāng)晶體管的飽和深度變淺時(shí)，其工作速度（）。
A.變低
B.不變
C.變高
D.加倍
最新試題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？
題型：?jiǎn)柎痤}
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：?jiǎn)柎痤}
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題