A、含硅化合物
B、含鋁化合物
C、堿
D、純氧
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A、金屬催化劑
B、酸、堿、鹽催化劑
C、金屬氧化(硫化)物催化劑
D、固體酸催化劑
A、WO3
B、Ni
C、Fe
D、Cu
A、金屬催化劑
B、酸、堿、鹽催化劑
C、金屬氧化(硫化)物催化劑
D、固體酸催化劑
A、AE
B、BE
C、CE
D、RE
A、陽離子價(jià)數(shù)越高,半徑越小,活性越高
B、陽離子價(jià)數(shù)越高,半徑越大,活性越高
C、陽離子價(jià)數(shù)越低,半徑越小,活性越高
D、陽離子價(jià)數(shù)越低,半徑越大,活性越高
最新試題
采用串級(jí)調(diào)節(jié)回路,有利于克服來自主回路的干擾。()
裝置進(jìn)油后,要對(duì)工藝流程進(jìn)行檢查,防止跑漏。()
更高的催化劑裝填密度有利于降低反應(yīng)空速。()
如液位儀表指示偏差較大時(shí),需對(duì)其零點(diǎn)進(jìn)行調(diào)校。()
預(yù)硫化期間若單個(gè)催化劑床層溫升達(dá)到20℃以上,且呈快速上升不受控制趨勢(shì),應(yīng)加大注硫量。()
為了避免產(chǎn)生高的溫差應(yīng)力,應(yīng)嚴(yán)格控制任何兩個(gè)表面熱電偶之間的溫度差。()
開工反應(yīng)器床層的升溫速度一般由冷氫流量來控制。()
反應(yīng)系統(tǒng)進(jìn)油后要及時(shí)監(jiān)控高分系統(tǒng)的液位,防止減空。()
低壓分離器的壓力控制回路的設(shè)定值要低于分餾系統(tǒng)硫化氫汽提塔的控制壓力。()
為了避免產(chǎn)生較高的溫差應(yīng)力,應(yīng)嚴(yán)格控制反應(yīng)器的升溫速度。()