單項選擇題
執(zhí)行以下指令后：
MOV AL，1AH
MOV CL，0AH
MUL CL
AX寄存器的內(nèi)容是（）
A.001AH
B.000AH
C.0104H
D.0100H
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1.單項選擇題寄存器AH中的內(nèi)容是7AH，則執(zhí)行SUBAH，70H后，AH的內(nèi)容變?yōu)椋ǎ?/a>
A.08H
B.09H
C.0AH
D.0BH
2.單項選擇題若寄存器AL的內(nèi)容為28H，則執(zhí)行DECAL指令后，AL的內(nèi)容為（）
A.27H
B.28H
C.29H
D.2AH
3.單項選擇題若寄存器AL的內(nèi)容為48H，則執(zhí)行INCAL指令后，AL的內(nèi)容為（）
A.47H
B.48H
C.49H
D.4AH
4.單項選擇題
執(zhí)行以下指令
MOV AL，7CH
MOV BL，5DH
ADD AL，BL
的結果是（）
A.D8H
B.D9H
C.DAH
D.DBH
5.單項選擇題SRAM芯片6264在尋址時需要（）根地址線
A.9
B.10
C.12
D.13