渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。

當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）

采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。

當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。

對(duì)于圓盤形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。

在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。

缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和（）是相同的。

在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）

用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì)，其探頭（傳感器）的光敏組件的前面有（），只適用于測(cè)量黑光。