A.1
B.2
C.3
D.4
E.5
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A.偏離靶區(qū)規(guī)定劑量的程度
B.靶區(qū)內(nèi)任意點劑量與靶區(qū)劑量規(guī)定點劑量的差別
C.靶區(qū)內(nèi)最大劑量與最小劑量的差別
D.靶區(qū)內(nèi)劑量規(guī)定點劑量與靶區(qū)內(nèi)模劑量的差別
E.靶區(qū)內(nèi)劑量規(guī)定點劑量與靶區(qū)內(nèi)平均劑量的差別
A.150cGy
B.300cGy
C.450cGy
D.500cGy
E.800cGy
A.于瘤體中央置一施源器即可
B.正方形排列
C.按靶區(qū)范圍采用巴黎系統(tǒng)布源
D.沿瘤體周邊等距離間隔布源
E.單平面布源
A.更有效的減低韌致輻射,保留特征輻射
B.更有效的減低特征輻射
C.既濾去韌致輻射,又濾去特征輻射
D.更好的濾去特征輻射,保留韌致輻射
E.為了進一步提高半價層的值
A.10%
B.5%
C.2.50%
D.3%
E.1%
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當高能電子線能量增加時()
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