單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備Ir接口使用的光模塊為（）。
A.155Mbps
B.2.5Gbps
C.5Gbps
D.6Gbps
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1.單項(xiàng)選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為（）。
A.20W
B.30W
C.40W
D.50W
2.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為（）。
A.1U
B.2U
C.3U
D.4U
3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持連接態(tài)用戶數(shù)（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
4.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持激活態(tài)用戶數(shù)（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
5.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE最多可以支持多少塊BPOG（）。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
為保證網(wǎng)絡(luò)的良好運(yùn)行，維護(hù)人員應(yīng)每周或每兩周對全網(wǎng)基站RRU通道狀態(tài)、RRU通道功率、駐波比、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速、（）、光功率、（）等信息進(jìn)行巡檢。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，RLC層不加頭的實(shí)體是（）模式實(shí)體。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，MAC層實(shí)現(xiàn)邏輯信道到（）信道的映射。
題型：填空題
PHICH的配置信息在PBCH信道中承載。（）
題型：判斷題
TD-LTE系統(tǒng)中，有Msg0消息的隨機(jī)接入過程是（）隨機(jī)接入過程。
題型：填空題
eNB可存放多個(gè)備用版本。（）
題型：判斷題
TD-LTE先對于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了（）。
題型：填空題
為避免乒乓重選，要求UE在服務(wù)小區(qū)駐留超過2s才可以再次進(jìn)行重選。（）
題型：判斷題
在算干擾余量時(shí)不用考慮系統(tǒng)負(fù)載。（）
題型：判斷題
對于節(jié)假日和重大活動(dòng)網(wǎng)絡(luò)保障，應(yīng)提前對eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度，超過70攝氏度的應(yīng)列為（）處理。
題型：填空題