A.HCl=H2SO4>CH3COOH
B.HCl>H2SO4>CH3COOH
C.H2SO4>HCl>CH3COOH
D.HCl=H2SO4=CH3COOH
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A.Ca（OH）2
B.H2SO3
C.Zn（OH）2
D.KCl
A.離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵
B.離子鍵、共價(jià)鍵
C.離子鍵
D.共價(jià)鍵、配位鍵
已知
=1.36V，Cl E ClCl° −2 2/2為 1.013³105Pa（1 大氣壓），[Cl-]=0.01mol/L時(shí)電極電位（）。
A.1.27V
B.0.89V
C.1.48V
D.0.76V
A.加入NH4HS固體
B.加入HCl氣體
C.擴(kuò)大容器
D.升高溫度
含有 0.02mol/L氯離子的MgCl2溶液中，其MgCl2濃度為（）。
A.0.002mol/L
B.0.04mol/L
C.0.01mol/L
D.0.005mol/L
最新試題
真空冷卻結(jié)晶，實(shí)質(zhì)上是（）產(chǎn)生過(guò)飽和度
硝酸鉀（KNO3）溶液采用（）獲得溶質(zhì)的KNO3
通常結(jié)晶都在（）區(qū)操作
加晶種誘導(dǎo)成核過(guò)程稱(chēng)（）
下列哪個(gè)不是過(guò)飽和度的表示法（）
向有機(jī)混合液中加（），可使其中某種有機(jī)溶質(zhì)析出
在蒸發(fā)過(guò)程中溶質(zhì)的量是（）
在結(jié)晶操作中，若溶液過(guò)飽和度大，冷卻速度快，強(qiáng)烈地?cái)嚢?，得到的晶體顆粒（）
（）蒸發(fā)時(shí)，它所用的設(shè)備和工藝條件都最為簡(jiǎn)單
過(guò)飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱(chēng)（）