A.甲基質(zhì)子是單峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,醇質(zhì)子是單峰
B.甲某質(zhì)子是二重峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,酵質(zhì)子是單峰
C.甲某質(zhì)子是四重蜂,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是單峰
D.甲某質(zhì)子是四重峰,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是二重峰
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A.五組峰(6:1:2:1:6)
B.三組峰(2:6:2)
C.三組峰(6:1:1)
D.四組峰(6:6:2:2)
A.大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的高頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
B.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的低頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
C.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的高頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
D.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的低頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
A.吸收電磁輻射的頻率區(qū)域不同
B.檢測(cè)信號(hào)的方式不同
C.記錄譜圖的方式不同
D.樣品必須在強(qiáng)磁場(chǎng)中測(cè)定
A.N7
B.Si14
C.P15
D.S16
最新試題
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀包括()。
ICP光譜儀中的等離子炬管有三種氣體通過(guò),它們分別是()。
X射線熒光光譜分析中,分光晶體對(duì)溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內(nèi)。
在鋼鐵常見(jiàn)元素中,能夠使用脈沖加熱惰氣熔融熱導(dǎo)法測(cè)量的是()。
選用ICP-AES儀器,同時(shí)可以進(jìn)行()。
氧氮分析儀測(cè)氮時(shí),是通過(guò)紅外池檢測(cè)試樣熔融后釋放出的氮?dú)饬縼?lái)檢測(cè)的。
原子吸收光譜儀,需要調(diào)整空心陰極燈燈電流時(shí),操作人員設(shè)置燈電流越大越好。
氧氮分析儀同碳硫分析儀一樣,都是采用加熱方式來(lái)分解試樣,所以也使用氧氣作載氣。
判定原子吸收光譜測(cè)量元素準(zhǔn)確度,必須根據(jù)與分析元素結(jié)果相接近的標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)定值。
ICP光譜儀中石英炬管清洗時(shí)用的酸是()。