A.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成正比
B.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成反比
C.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成正比
D.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成反比
E.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度及物理狀態(tài)無(wú)關(guān)
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A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對(duì)吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差
A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)
A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.60鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30KeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
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有些頭頸部腫瘤放射治療后的復(fù)發(fā),多是中央性復(fù)發(fā)。術(shù)后的復(fù)發(fā)主要為外圍性復(fù)發(fā)。因此,綜合使用術(shù)前放療加手術(shù)切除,可以獲得取長(zhǎng)補(bǔ)短的效果
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