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A.m；m×n
B.2m；2n
C.2m；2n
D.2m；2m×n
A.當(dāng)4位二進(jìn)制數(shù)B>9時(shí)，P（A>B.=1
B.當(dāng)B3=A3時(shí)，P（A=B.=1
C.當(dāng)B3=A3、B2=0、A2=1時(shí)，P（A>B.=1
D.當(dāng)B3=A3、B2=1、A2=0時(shí)，P（A>B.=1
A.施密特觸發(fā)器
B.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.多諧振蕩器
A.0
B.1
C.2
D.3
A.0、1、0
B.0、0、1
C.1、1、0
D.1、0、1
最新試題
從信息的存儲(chǔ)情況分類，存儲(chǔ)器可以分為（）兩大類。
單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器中最重要的參數(shù)是（）。
一個(gè)振蕩器電路中晶振元件的標(biāo)稱頻率是6MHz，電容為30pF，則該電路輸出信號(hào)的頻率是（）MHz。
RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端，8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。
A／D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過程分為（）4個(gè)步驟。
函數(shù)Y=ABC+A+ADE（F+G）的最簡(jiǎn)式為（）。
將一個(gè)最大幅值為5V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要使模擬信號(hào)每變化10mV，數(shù)字信號(hào)的最低位發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。
四位并行輸入寄存器輸入一個(gè)新的四位數(shù)據(jù)時(shí)需要（）個(gè)CP時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
五變量的卡諾圖中共有最小項(xiàng)數(shù)為（）個(gè)。