如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。

在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。

在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時間常數(shù)為τ1，在位置2的時間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。

如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。

真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。

真空中有一個半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場為（）。

如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。

以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心，距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場強(qiáng)度E：（）。

圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時閉合開關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。

如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場強(qiáng)度為（）。