單項(xiàng)選擇題有關(guān)硅半導(dǎo)體二極管，下述哪條說法是不正確的？（）

A、其正向開啟電壓為0.6～0.7伏
B、其反向飽和電流較小，但隨溫升高而加大
C、其正向?qū)娮瓒福ぷ鼽c(diǎn)電流加大而減小
D、其正向?qū)ǖ慕涣麟娮枧c直流電阻相等


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1.單項(xiàng)選擇題有關(guān)電壓原與電流原，下述敘述哪條是不正確的？（）

A、電壓原的內(nèi)阻甚小，輸出電壓隨負(fù)載變化小
B、電壓原的內(nèi)阻甚大，輸出電壓隨負(fù)載變化大
C、電流原的內(nèi)阻甚大，輸出電流隨負(fù)載變化小
D、電壓原，電流原的帶載能力都很強(qiáng)

2.單項(xiàng)選擇題在數(shù)字測(cè)量控制領(lǐng)域中，兩種最基本、最重要的信號(hào)是電壓量和頻率量。其中頻率量較電壓量（）

A、測(cè)量精度更高，適合高精度測(cè)量
B、測(cè)量速度更快，適合高速測(cè)量
C、抗干擾性強(qiáng)，適合遠(yuǎn)距離傳輸
D、以上都不對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題下面哪些種類的存儲(chǔ)器不能進(jìn)行寫操作。（）

A、Flash
B、FIFO
C、DRAM
D、以上都不對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題已知某存儲(chǔ)芯片的地址線為12根，則其存儲(chǔ)容量至少為（）

A、1KB
B、2KB
C、4KB
D、8KB

5.單項(xiàng)選擇題RS-232，RS-485接口是什么樣的接口（）

A、均為標(biāo)準(zhǔn)串行接口
B、均為標(biāo)準(zhǔn)并行接口
C、前者為串行，后者為并行接口
D、前者為并行，后者為串行接口