單項(xiàng)選擇題污穢等級的劃分是依據(jù)()三個(gè)因素綜合考慮決定的。

A.污閃特征、經(jīng)驗(yàn)和鹽密
B.污濕特征、運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)和絕緣強(qiáng)度
C.泄漏距離、絕緣強(qiáng)度和鹽密
D.污濕特征、運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)和鹽密


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2.單項(xiàng)選擇題遠(yuǎn)動(dòng)RTU模式可通過串行口配置成功能強(qiáng)大的(),所內(nèi)其他智能設(shè)備一般通過串行接口接入RTU。

A.網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)
B.信息系統(tǒng)
C.人機(jī)聯(lián)系子系統(tǒng)
D.轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

4.單項(xiàng)選擇題從網(wǎng)控到調(diào)度所的電量或其他電氣量的遙測工作屬于()。

A.通訊范疇
B.調(diào)度職能
C.網(wǎng)控運(yùn)行工作范疇
D.傳輸工作

5.單項(xiàng)選擇題變電站遠(yuǎn)動(dòng)終端RTU除了具備“四遙”的基本功能外,還具有()的功能。

A.轉(zhuǎn)發(fā)信息
B.傳遞信息
C.遙調(diào)
D.控制信息

最新試題

處理二次回路故障時(shí),應(yīng)防止電流回路短路與電壓回路開路或接地。

題型:判斷題

直流電壓消失后,在操作時(shí)或系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí),不影響控制回路的正常動(dòng)作。

題型:判斷題

由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高,在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí),有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。

題型:判斷題

若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線,由于提高了充電電壓,電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。

題型:判斷題

電壓互感器的二次負(fù)載大小與它的比值差和相角差無關(guān)。

題型:判斷題

站用交流電壓消失時(shí),在分段隔離后,可用萬用表測量絕緣電阻,逐步縮小范圍,直至找到故障點(diǎn)。

題型:判斷題

為保證在各種短路情況下都能可靠地輸出功率,單相復(fù)式整流裝置的電壓源和電流源必須裝在異名相上。

題型:判斷題

接線端子銹蝕嚴(yán)重屬于緊急缺陷。

題型:判斷題

直流回路熔斷器質(zhì)量不合格,接觸不良,可導(dǎo)致直流電壓消失。

題型:判斷題

真空斷路器的真空度測試工作非常重要,一旦真空度被破壞,就不能滅弧,因此驗(yàn)收時(shí)必須檢查真空度。

題型:判斷題