直流回路熔斷器質(zhì)量不合格，接觸不良，可導(dǎo)致直流電壓消失。

若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線，由于提高了充電電壓，電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。

對(duì)于一般缺陷，運(yùn)行人員應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)視，并在交接班時(shí)進(jìn)行交代。

運(yùn)行中三相五柱式電壓互感器的密封圈應(yīng)取下，放氣孔應(yīng)開啟。

由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高，在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí)，有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。

根據(jù)需要可在適當(dāng)?shù)攸c(diǎn)將電流互感器二次側(cè)開路。

拉開操作直流熔斷器的順序是先負(fù)極后正極，安裝的順序與此相反，這樣做是為了防止產(chǎn)生寄生同路而引起誤動(dòng)跳閘。

電壓互感器的二次負(fù)載大小與它的比值差和相角差無關(guān)。

保護(hù)屏常投入的連接片的絕緣部位應(yīng)涂藍(lán)色漆。

站用交流電壓消失時(shí)，在分段隔離后，可用萬用表測(cè)量絕緣電阻，逐步縮小范圍，直至找到故障點(diǎn)。