單項(xiàng)選擇題關(guān)于雙通道技術(shù)描述不正確的是（）。

A、北橋芯片里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器
B、兩個(gè)內(nèi)存控制器不可相互獨(dú)立工作
C、雙通道技術(shù)可以使內(nèi)存的帶寬達(dá)到翻倍的效果
D、這種技術(shù)依靠主板北橋的控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)，與內(nèi)存本身無(wú)關(guān)


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1.多項(xiàng)選擇題磁頭組件由（）組成。

A、讀寫(xiě)磁頭
B、主軸調(diào)速電路
C、傳動(dòng)手臂
D、傳動(dòng)軸

2.多項(xiàng)選擇題硬盤(pán)中液態(tài)軸承馬達(dá)與傳統(tǒng)的滾珠軸承馬達(dá)相比，優(yōu)點(diǎn)為（）。

A、阻力為零
B、噪聲及溫度降至最低
C、硬盤(pán)的抗震能力得到了提高
D、避免了與金屬面的直接磨擦

3.單項(xiàng)選擇題以下（）屬于非易失性存儲(chǔ)體。

A、SDRAM
B、DDRRAM
C、Flash Memory
D、EDORAM

4.單項(xiàng)選擇題可以直接利用計(jì)算機(jī)軟件進(jìn)行擦除和寫(xiě)入的ROM類(lèi)型有（）。

A、Mask ROM
B、EEP ROM
C、Flash ROM
D、RAM

5.多項(xiàng)選擇題檢驗(yàn)內(nèi)存性能的指標(biāo)包括（）。

A、存取時(shí)間
B、CAS延遲時(shí)間
C、奇偶校驗(yàn)
D、ECC