A.1~3年
B.1~2年
C.1年
D.不作此項試驗
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A.1~3年
B.1~2年
C.1年
D.不作此項試驗
A.二次電壓為零
B.二次側(cè)產(chǎn)生危險高電壓,鐵心過熱
C.二次電流為零,促使一次電流近似為零
D.二次側(cè)產(chǎn)生危險高電壓,變換到一次側(cè),使一次電壓更高
A.35kV及以下電壓互感器的高壓側(cè)和低壓側(cè)應(yīng)裝設(shè)熔斷器
B.110kV電壓互感器一次側(cè)不裝熔斷器
C.電壓互感器一、二次側(cè)都不允許短路
D.電壓互感器的鐵心和副線圈應(yīng)可靠接地
A.10V
B.50V
C.100V
D.200V
A.解除重瓦斯保護(hù)
B.解除輕瓦斯保護(hù)
C.將重瓦斯保護(hù)切換至信號
D.將重、輕瓦斯保護(hù)全部切除
最新試題
串級調(diào)速系統(tǒng)可有效地降低電耗,它的調(diào)速范圍一般可達(dá)()。
下列不屬于電容耦合電路特性的是()。
高頻淬火與中頻淬火其主要區(qū)別在于頻率不同,高頻頻率范圍為()。中頻頻率范圍為()。
關(guān)于過零觸發(fā)控制電路說法錯誤的是()。
電壓負(fù)反饋調(diào)速系統(tǒng)中一般還設(shè)有()來防止觸發(fā)脈沖超出移相范圍。
以下()不可用做UPS內(nèi)部的蓄電池。
調(diào)功器不觸發(fā)或某一電路為零,其產(chǎn)生的原因不包括()。
調(diào)功器作為可控硅電力開關(guān)設(shè)備,按調(diào)功器主回路通斷輸出方式可分為()。
對于臨時供用電設(shè)備,下列選項中,不符合電箱設(shè)置的要求是()。
用ICT-33C型數(shù)字集成電路測試儀判別555芯片好壞,下列說法正確的是()。