A.近表面缺陷
B.表面和近表面缺陷
C.表面缺陷
D.內(nèi)部缺陷
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A.與被檢表面形成高對(duì)比度
B.與被檢表面形成低對(duì)比度
C.能粘附在被檢工件表面上
D.磁導(dǎo)率越低越好
A.縱向磁場(chǎng)、橫向缺陷
B.周向磁場(chǎng)、縱向缺陷
C.縱向磁場(chǎng)、縱向缺陷
D.周向磁場(chǎng)、橫向缺陷
A.表面裂紋形成的強(qiáng)
B.近表面裂紋形成的強(qiáng)
C.兩者無(wú)區(qū)別
D.上述都不對(duì)
A.材料被磁化難易程度
B.材料中磁場(chǎng)的穿透深度
C.工件需要退磁時(shí)間的長(zhǎng)短
D.保留磁場(chǎng)的能力
A.檢測(cè)非鐵磁性材料表面和近表面缺陷
B.檢測(cè)鐵磁性材料表面和近表面缺陷
C.檢測(cè)鐵磁性材料內(nèi)部缺陷
D.各種不同材料的分選
最新試題
以下試塊中,能用于測(cè)定縱波直探頭分辨力的是()
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān),觀片燈亮度改變,最佳黑度值也將改變。
不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)()
以下耦合劑中,可用于粗糙表面檢測(cè)的是()
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
射線照片上一個(gè)細(xì)節(jié)的影像是否能被眼睛識(shí)別出來(lái),最主要的是決定于()