A、三相交流電
B、半波整流交流電
C、高壓低安培電流
D、穩(wěn)恒直流電
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你可能感興趣的試題
A、電流應(yīng)盡量大,使之達(dá)到磁飽和
B、低于充磁時的電流強(qiáng)度
C、比充磁時的電流稍大些
D、螺栓已經(jīng)過熱處理,不必通電退磁
A.內(nèi)部缺陷處的漏磁通,比同樣大小的表面缺陷為大
B.缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度,隨著離開表面距離的增加而急劇減弱
D.用有限線圈磁化長的試件,不需進(jìn)行分段磁化
A.磁化的磁場強(qiáng)度與材料的導(dǎo)磁率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形狀尺寸
C.缺陷內(nèi)部的介質(zhì)
D.A、B和C
A.矯頑力
B.漏磁場
C.多普勒效應(yīng)
D.裂紋處的高應(yīng)力
A.磁化的磁場強(qiáng)度與材料的磁導(dǎo)率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形狀尺寸
C.缺陷內(nèi)的介質(zhì)
D.A、B和C
最新試題
單晶體金屬特點(diǎn)有()。
常規(guī)的縱波聲場或橫波聲場,聲速是以一定的角度擴(kuò)散出去的,所以有()。
超聲波檢測夾渣缺陷反射波特征包括()。
Z 超聲波檢測鑄件時可作為缺陷記錄的是()。
聚焦聲源發(fā)射的聲場特點(diǎn)是()。
滲透劑檢測壓力噴灌的存放應(yīng)避免()。
鑄件熒光滲透檢測時,()。
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用()填補(bǔ)工件的較薄部分,使透照厚度差減小的方法。
采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測時,缺陷定位說法正確的有()。
化學(xué)反應(yīng)型著色滲透劑的特點(diǎn)是()。