填空題所謂的半衰期是指放射性元素的原子核數(shù)衰變到原來(lái)原子核數(shù)()時(shí)所需要的時(shí)間。

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2.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于無(wú)限大固體介質(zhì)中聲速的說(shuō)法錯(cuò)誤的有()。

A.橫波聲速大于表面波聲速
B.縱波聲速大于橫波聲速
C.表面波聲速大于縱波聲速
D.縱波聲速小于橫波聲速

3.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于顯像劑粉末吸附缺陷中滲透劑的說(shuō)法正確的有()。

A.顯像劑粉是吸附質(zhì)
B.顯像劑粉是吸附劑
C.滲透劑是吸附質(zhì)
D.滲透劑是吸附劑

4.多項(xiàng)選擇題滲透檢測(cè)體系的分辨力是指滲透檢測(cè)體系()的能力。

A.探測(cè)缺陷尺寸
B.探測(cè)缺陷形狀
C.探測(cè)缺陷位置
D.發(fā)現(xiàn)缺陷大小

5.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于照射場(chǎng)的大小對(duì)散射比的影像的說(shuō)法,錯(cuò)誤的有()。

A.照射場(chǎng)越大,散射比越大
B.當(dāng)照射場(chǎng)直徑超過(guò)50mm后,散射比隨照射場(chǎng)的增大而減小
C.當(dāng)照射場(chǎng)較小時(shí),散射比隨照射場(chǎng)的增大而增大
D.用極小的照射場(chǎng)透照時(shí),照射場(chǎng)大小對(duì)散射比幾乎沒(méi)影響

6.多項(xiàng)選擇題目前主要用的是數(shù)顯式黑度計(jì),主要作用有()。

A.測(cè)量底片反差
B.測(cè)量底片上焊縫黑度
C.測(cè)量熱影響區(qū)黑度
D.測(cè)定底片黑度是否滿足標(biāo)準(zhǔn)要求

7.多項(xiàng)選擇題產(chǎn)生干涉的兩列相干波,在振動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生不同的波程差,波程差與波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián),所以不同的波程差會(huì)出現(xiàn)()等現(xiàn)象。

A.兩波互相疊加,合振幅最小
B.兩波互相疊加,合振幅最大
C.兩波互相抵消,合振幅最大
D.兩波互相抵消,合振幅最小

8.多項(xiàng)選擇題用縱波直探頭確定缺陷平面位置時(shí)需要考慮的問(wèn)題有()。

A.探頭聲束是否有偏離
B.探頭是否有雙峰
C.信號(hào)幅度最小時(shí)缺陷不在探頭正下方
D.信號(hào)幅度最小時(shí)缺陷正好在探頭正下方

9.多項(xiàng)選擇題軟X 射線管選用鉬作陽(yáng)極靶,鉬靶和鎢靶比較,()。

A.原子序數(shù)小
B.原子序數(shù)大
C.耐高溫
D.不耐高溫

最新試題

磁粉檢測(cè)用的黑光燈發(fā)出的光包含有(),而把不需要的光線用濾光片過(guò)濾掉。

題型:多項(xiàng)選擇題

影響定影的因素主要有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

當(dāng)障礙物尺寸Df< < 波長(zhǎng)λ時(shí),會(huì)出現(xiàn)以下()等現(xiàn)象。

題型:多項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于顯像劑粉末吸附缺陷中滲透劑的說(shuō)法正確的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

目前主要用的是數(shù)顯式黑度計(jì),主要作用有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

筒形或環(huán)形鍛件的鍛造工藝是先鐓粗,后沖孔,再滾壓。因此,缺陷的取向比軸類(lèi)鍛件和餅類(lèi)鍛件中的缺陷取向復(fù)雜。所以對(duì)這類(lèi)鍛件一般采用()進(jìn)行檢測(cè)。

題型:多項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于照射場(chǎng)的大小對(duì)散射比的影像的說(shuō)法,錯(cuò)誤的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

后乳化型熒光滲透劑本身不含乳化劑,不起乳化作用,需經(jīng)乳化后才能用水清洗,不易被去除,可以用于()的檢驗(yàn)。

題型:多項(xiàng)選擇題

組成滲透液的物質(zhì)很多,為保證其使用性能,除了主要的紅色染料外,又添加了()等物質(zhì)。

題型:多項(xiàng)選擇題

用縱波直探頭確定缺陷平面位置時(shí)需要考慮的問(wèn)題有()。

題型:多項(xiàng)選擇題