單項(xiàng)選擇題（）是用電容來(lái)存儲(chǔ)寫(xiě)入的內(nèi)容，由于電容要放電，為了維持寫(xiě)入的內(nèi)容不變，必須對(duì)它進(jìn)行重復(fù)的讀出和寫(xiě)入操作，即要有刷新電路配合使用

A、靜態(tài)RAM
B、動(dòng)態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題（）是用D型觸發(fā)器來(lái)存儲(chǔ)寫(xiě)入的內(nèi)容，除非寫(xiě)入新的內(nèi)容或電源關(guān)斷，它的內(nèi)容可以保持不變

A、靜態(tài)RAM
B、動(dòng)態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM

2.單項(xiàng)選擇題隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器分為（）

A、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)ROM
B、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)ROM
C、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)RAM
D、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM

3.單項(xiàng)選擇題EEPROM是電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)，它的內(nèi)容也由用戶寫(xiě)入，（）

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí)，原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除，允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定，不允許再改變

4.單項(xiàng)選擇題PROM是可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)，它的內(nèi)容（）

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí)，原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除，允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定，不允許再改變

5.單項(xiàng)選擇題ROM又稱掩膜只讀存儲(chǔ)器，它存儲(chǔ)的內(nèi)容（）

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的，不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除，反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí)，原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除，允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定，不允許再改變