單項(xiàng)選擇題DDRII內(nèi)存是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成數(shù)據(jù)傳輸次數(shù)為（）。

A、1
B、2
C、4
D、不能確定


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1.單項(xiàng)選擇題OSI模型中的最高層和最低層分別是（）。

A、表示層和物理層
B、應(yīng)用層和物理層
C、應(yīng)用層和網(wǎng)絡(luò)層
D、應(yīng)用層和傳輸層

3.單項(xiàng)選擇題安裝CPU（SOCKET），下列正確的方法是（）。

A、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-用力將CPU壓入插座-將鎖緊拉入并卡住
B、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直拉置-CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉入并卡住
C、平放主板-將鎖緊桿取下-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿卡住
D、將平放主板-鎖緊桿向上抬起到與主板成45度角位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對(duì)準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放區(qū)一體化下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉下并卡住

4.單項(xiàng)選擇題開(kāi)機(jī)后提示“CMOS Battery Stale Low“，這表明（）。

A、CMOS設(shè)置錯(cuò)誤
B、主板上CMOS電池電量不足
C、主板CMOS芯片損壞
D、主板供電不足

5.單項(xiàng)選擇題如果硬盤(pán)出現(xiàn)物理壞道，一般使用（）方法來(lái)修復(fù)。

A、用諾頓磁盤(pán)醫(yī)生NDD進(jìn)行修復(fù)
B、利用DM對(duì)磁盤(pán)重新進(jìn)行高級(jí)格式化
C、用Lformat對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行低級(jí)格式化
D、以上方法都可以