A、擴(kuò)散硅芯片由單晶硅經(jīng)過采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴(kuò)散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點(diǎn)晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體
D、根據(jù)壓阻效應(yīng)，將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關(guān)系，推算壓力大小。
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A、硅晶體的壓阻效應(yīng)
B、硅晶體的擴(kuò)散效應(yīng)
C、硅晶體的應(yīng)變效應(yīng)
D、硅晶體的半導(dǎo)體特性
A、相同
B、不同
C、相近
D、相反
A、正比關(guān)系
B、反比關(guān)系
C、平方
D、開方
A、標(biāo)準(zhǔn)大氣壓
B、人為給定壓力
C、環(huán)境壓力
D、零
A、電流信號(hào)
B、數(shù)字信號(hào)
C、電壓信號(hào)
D、壓力信號(hào)
最新試題
簡(jiǎn)述設(shè)備維修方式的發(fā)展。
設(shè)備狀態(tài)維修就是根據(jù)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)狀態(tài)進(jìn)行維修。
定期維修就是定期對(duì)設(shè)備進(jìn)行狀態(tài)維修。
事后維修不需要安排計(jì)劃。
提高設(shè)備的利用率是設(shè)備狀態(tài)維修的優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)。
在應(yīng)力和時(shí)間等條件下，導(dǎo)致發(fā)生故障的物理、化學(xué)、生物或機(jī)械過程，稱為故障狀態(tài)。
狀態(tài)維修不可能充分掌握維修活動(dòng)的主動(dòng)權(quán)。
設(shè)備狀態(tài)維修是今后企業(yè)設(shè)備維修的發(fā)展方向。
故障可按怎樣的方法分類。
工程設(shè)備的分類。