A.90°射頻脈沖到產(chǎn)生回波的時間
B.SE序列T1加權(quán)TE為50-60ms
C.SE序列T2加權(quán)TE為90-120ms
D.TE越短,T2對比越小
E.強調(diào)T1對比時TE應(yīng)盡量短
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A.90°射頻脈沖到產(chǎn)生回波的時間
B.SE序列T1加權(quán)TE為90-120ms
C.SE序列T2加權(quán)TE為10-30ms
D.TE越短,T2對比越大
E.強調(diào)T1對比時TE應(yīng)盡量短
A.是兩個90°射頻脈沖之間的時間間隔
B.長TR值用于T2加權(quán)和質(zhì)子密度加權(quán)
C.短TR值用于T1加權(quán)
D.SE序列T1加權(quán)TR為700-800ms
E.SE序列T2加權(quán)TR為1800-3000ms
A.是兩個180°射頻脈沖之間的時間間隔
B.長TR值用于T2加權(quán)和質(zhì)子密度加權(quán)
C.短TR值用于T1加權(quán)
D.SE序列T1加權(quán)TR為800-3000ms
E.SE序列T2加權(quán)TR為400-500ms1
A.可用于各種脈沖序列
B.最多可放六個飽和帶
C.飽和帶越多抑制偽影效果越差
D.飽和帶越多掃描時間越長
E.飽和帶越窄越靠近感興趣區(qū)抑制效果越好
A.可用于各種脈沖序列
B.最多可放六個飽和帶
C.飽和帶越多抑制偽影效果越差
D.飽和帶越多掃描時間越短
E.飽和帶越窄越靠近感興趣區(qū)抑制效果越差
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