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問答題
【簡答題】簡述輕摻雜漏（LDD）工藝目的。
答案：
減小源漏間的穿通和溝道漏電，提高源漏擊穿電壓。
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問答題
【簡答題】簡述什么是淺槽隔離STI及優(yōu)點(diǎn)。
答案：
淺槽隔離是在襯底上通過刻蝕槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步驟，制作晶體管有源區(qū)之間的隔離區(qū)的一種工藝。它取代了LOCOS...
問答題
【簡答題】簡述LOCOS隔離原理。
答案：
通過NMOS場區(qū)的硼注入及場區(qū)選擇氧化，增加場區(qū)的表面摻雜濃度及場區(qū)氧化層厚度，從而提高寄生NMOS管的閾值電壓，使該閾...
