探傷工藝流程中探傷技術(shù)規(guī)范主要指的是（）

垂直法局部掃查即探頭在整個(gè)面上按規(guī)定，并事先劃出的線上移動，相鄰掃查線的間距往往（）探頭直徑。

探傷中為了保證工件的整個(gè)被檢部位有足夠的聲束覆蓋，探頭掃查線的相鄰距離應(yīng)小于探頭的有效直徑，應(yīng)有探頭寬度（）的重疊。

使用雙探頭掃查時(shí)，如盲目改變掃查方向，將會導(dǎo)致（）。

探傷工藝規(guī)程編制的內(nèi)容有很多，其中包括（）。

在橫波探傷中，探頭K值對探傷（）有較大的影響。

耦合劑應(yīng)選擇容易附著在試件的表面上，有足夠的浸潤性以排除（）之間由于表面粗糙造成的空氣間隙。

核對軌頭剝離層下的傷損一般采用（）。

通用儀器對焊補(bǔ)層的下核傷是以核傷最高反射回波的80%再增益12dB作為校對靈敏度，以最大回波顯示的刻度來確定（）。

垂直法探傷時(shí)，對要求不太高的工件常采用局部法進(jìn)行掃查，局部法掃查一般分為（）。