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熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。
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替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和鄰近晶格位置上的原子互換。
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雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種:間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。
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