單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡(jiǎn)稱()。

A.MOSFET
B.IGBT
C.GTR
D.GTO


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2.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,()不是P-MOSFET的一般特性。

A.轉(zhuǎn)移特性
B.輸出特性
C.開(kāi)關(guān)特性
D.歐姆定律

3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,()不是常用的電力晶體管(GTR)。

A.單管
B.達(dá)林頓管
C.GRT模塊
D.IPM

5.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,()不是晶閘管過(guò)電壓產(chǎn)生的主要原因。

A.電網(wǎng)電壓波動(dòng)太大
B.關(guān)斷過(guò)電壓
C.操作過(guò)電壓
D.浪涌電壓