高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

當(dāng)探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實際位置。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

橫波檢測平板對接焊縫根部未焊透等缺陷時，不同K值探頭檢測同一根部缺陷，其回波高相差不大。

超聲波檢測中如果被檢工件衰減嚴(yán)重，定量會受到影響。

在檢測晶粒粗大和大型工件時，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場的作用下，在工件中形成超聲波波源。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時，而又沒有進行適當(dāng)?shù)难a償，會使定量誤差增加，精度下降。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。