問答題

【簡答題】為什么晶體晶格離子注入工藝后需要高溫退火？使用RTA退火有什么優(yōu)點？

答案： 消除晶格損傷，恢復載流子壽命以及遷移率，激活一定比列的摻雜原子。
降低了退火溫度或者說減少了退火時間，減少了退...
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問答題

【簡答題】離子注入后的RTA流程
答案：

1、晶圓進入
2、溫度急升
3、溫度趨穩(wěn)
4、退火
5、晶圓冷卻
6、晶圓退出
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【簡答題】氮化硅在IC芯片上的用途
答案： 1、硅局部氧化形成過程中，作為阻擋氧氣擴散的遮蔽層。
2、作為化學拋光的遮擋層。
3、用于形成側壁空...
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